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锂电保护

DV6268-G2J

DV6268-G2J是采用高耐压 CMOS 工艺,内置高精度电压检测电路和延时电路,用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护
IC。可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。
    DV6268-G2J概述:
    DV6268-G2J 是采用高耐压 CMOS 工艺,内置高精度电压检测电路和延时电路,用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护
    IC。可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。

    DV6268-G2J特性:
    (1)各种检测、释放电压参数及精度
    过充电检测电压 4.325V 精度±25mV(Ta=25°C)
    精度±30mV(Ta=-5~+60°C)
    过充电释放电压 4.080V 精度±50mV
    过放电检测电压 2.500V 精度±50mV
    过放电释放电压 2.900V 精度±50mV
    放电过电流检测电压 150mV 精度±15mV
    充电过电流检测电压 -100mV 精度±20mV
    短路检测电压 0.55V 精度±100mV

    (2)各种检测延迟时间功能仅通过内置电路可实现(不需要外接电容)
    (3)充电器连接端子采用高耐压器件(CS 端绝对最大额定值 40V)
    (4)0 V 电池充电的功能 禁止
    (5)休眠功能 有
    (6)工作温度范围广 Ta=-40°C ~ +85°C
    (7)消耗电流低
    工作时 3.0μA(典型值),6.0μA(最大值)(Ta=+25°C)
    休眠时 0.1μA(最大值)(Ta=+25°C)
    (8) 无卤绿色环保封装

    DV6268-G2J应用:
    单节锂离子可充电电池组
    单节锂聚合物可充电电池组

    DV6268-G2J封装:
    SOT-23-6

    DV6268-G2J内部框图:

    DV6268-G2J引脚排列示意图:

    DV6268-G2J电池保护 IC 的典型应用原理图:






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