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存储芯片

T25S80

    T25S80(8M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)和双/四个SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双输入/O数据的传输速度为266Mbit/s,四个输入I/O数据的传输速度为532Mbit/s。
    T25S80 一般描述:
        T25S80(8M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)和双/四个SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双输入/O数据的传输速度为266Mbit/s,四个输入I/O数据的传输速度为532Mbit/s。

    T25S80 特性:
    8M位串行闪存
      - 1024K字节
      - 每个可编程页面256字节
    标准、双路、四路SPI
      - 标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
      - 双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
      - 四路SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
    高速时钟频率
      - 133MHz用于30PF负载的快速读取
      - 双I/O数据传输最高可达266Mbits/s
      - 四路I/O数据传输,最高可达532Mbit/s
    软件/硬件写保护
      - 通过软件对全部/部分内存进行写保护
      - 使用WP#引脚启用/禁用保护
      - 顶部/底部块保护
    耐久性和数据保留
      - 最少100000次编程/擦除周期
      - 典型的20年数据保留期
    允许XiP(就地执行)操作
      - 高速读取减少了XiP指令的总获取时间
      - 带Wrap的连续读取进一步降低了填充SoC缓存的数据延迟
    快速编程/擦除速度
      - 页面程序时间:典型值为0.6ms
      - 扇区擦除时间:典型45ms
      - 块擦除时间:0.15s/0.25s典型
      - 芯片擦除时间:典型为3秒
    灵活的体系结构
      - 4K字节的统一扇区
      - 32/64K字节的统一块
    低功耗
      - 11μA典型待机电流
      - 1μA典型深度断电电流
    高级安全功能
      - 每个设备的128位唯一ID
      - 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器
      - 2x1024字节带OTPLocks的安全寄存器
    单电源电压
      - 全电压范围:2.7-3.6V
    包装信息
      - SOP8 150mil
      - SOP8 208mil
      - USON8 (3x2mm, 0.45mm thickness)
      - USON8 (3x4mm)
      - WSON8 (6x5mm)

    T25S80 接线图:
    T25S80 框图:
    T25S80 双输入/O快速读取序列图((M7-0=AXH))
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